Перепад давления, обусловленный гидравлическим сопротивлением при движении газожидкостного потока, определяют по формуле Дарси-Вейсбаха:
Число Рейнольдса:
При Re < 2300
При Re > 2300
Кинематическая вязкость определяется по формуле Монна:
где b - расходное объёмное газосодержание двухфазного потока (расходный параметр, определяется для трубных условий):
где Vг, Vж – объёмный расход газа и жидкости при средних давлении и температуре в трубопроводе.
Плотность смеси:
где
rж, rг – плотность жидкости и газа при средних давлении и температуре в трубе;
j - величина истинного газосодержания.
Истинное газосодержание является сложной функцией, зависящей от физических свойств жидкости и газа, диаметра и наклона трубопровода, расхода жидкости и газа. Закономерности изменения j - доли сечения потока, занятой газом, от указанных параметров устанавливаются только экспериментально – путём мгновенных отсечек потока или просвечиванием гамма-лучами.
.
Доля сечения потока, занятая жидкостью, составит: .
Средняя скорость смеси:
Определение структур потока и истинного газосодержания производится по критериям, разработанным во ВНИИГаз Мамаевым и Одишария.
Эмульсионная структура
Критерий Фруда:
При b < 0,988
При b ³ 0,988
определяется по специальным графикам.
Пробковая структура
При движении смеси на подъём:
При движении смеси по горизонтальным и нисходящим трубопроводам:
где a - угол между осью трубы и горизонталью.
Расслоенная структура.
Перепад давления, обусловленный гравитационными силами, определяется из уравнения:
где
hв hy – высоты восходящих и нисходящих участков, м;
rв, rн – истинная плотность смеси на этих участках, определённая с учётом истинного газасодержания j:
при восходящем потоке:
при нисходящем потоке:
Тогда:
Анализ азота и его соединений
...
Функциональные замещенные алициклических и ароматических соединений
...
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...