Толщину тепловой изоляции δи находят из равенства удельных тепловых потоков через слой изоляции от поверхности изоляции в окружающую среду:
αв=(tст2-tв)=(λи/δи)∙(tcт1-tcт2), (3.14)
где αв=9,3+0,058∙tст2 - коэффициент теплоотдачи от внешней поверхности изоляционного материала в окружающую среду, Вт/(м2∙К); tст2 - температура изоляции со стороны окружающей среды (воздуха),°С;tст1 - температура изоляции со стороны аппарата; ввиду незначительного термического сопротивления стенки аппарата по сравнению с термическим сопротивлением слоя изоляции tст1 принимаем равной температуре греющего пара tг1 tв - температура изоляции окружающей среды (воздуха),°С; λи - коэффициент теплопроводности изоляционного материала, Вт/(м∙К). Рассчитаем толщину тепловой изоляции: при tcт2=35
αв=9,3+0,058∙35=11,33 Вт/(м2*К).
В качестве материала для тепловой изоляции выберем совелит (85% магнезии+15% асбест), имеющий коэффициент теплопроводности λи=0,09 Вт/(м*К). Тогда при tcт1=142,9 °С, t(возд)=20 °С:
δи=λи∙(tст1-tст2)/(αв∙(tcт2-tвозд)).
δи=0,09∙(142,9-35)/(11,33∙(35-20))=0,057 м.
Примем толщину тепловой изоляции 0,055 м и для второго корпуса тоже.
Алкилирование енаминов, бета-дикетонов и енаминокетонов
...
Кристаллогенезис - возникновение, рост и разрушение кристаллов
Кристаллогенезис –
возникновение, рост и разрушение кристаллов
Для понимания процессов,
приводящих к зарождению и росту кристаллов, необходимы знания из области
физики, химии, кристаллог ...
Синтез и исследование поливольфрамофенилсилоксанов, содержащих атомы вольфрама в степени окисления +6
Кремнийорганические
полимеры, содержащие в своей структуре гетеросилоксановую группировку Si-O-Э
(под символом Э подразумевается гетероатом, за исключением атомов водорода и
углерода), нося ...