Благодарим нашего консультанта Денисенко П.В., Хлудневу Евгению и Лапину Любовь за предоставленные результаты, В.И. Шелеста за помошь в редактировании отчета.
Эпитаксиальный рост Ge на поверхности Si(100)
С физикой
тонких пленок связаны достижения и перспективы дальнейшего развития
микроэлектроники, оптики, приборостроения и других отраслей новой техники.
Успехи микроминиатюризации электронн ...
Производство поливинилбутираля
Химическая
промышленность прошла бурный путь развития в период 50-х – 80-х годов. В
отрасли был создан значительный производственный потенциал. Однако он был
ориентирован на цели командно–а ...