Рост монокристалла по методу Чохральского должен проводиться в инертной среде или вакууме, что вызвано следующими причинами: 1) Нагретые графитовые узлы должны быть защищены от воздействия кислорода для предотвращения эрозии; 2) Газовая атмосфера не должна вступать в химическую реакцию с расплавом кремния.
Выращивание кристаллов в вакууме удовлетворяет указанным требованиям и, кроме того, имеет ряд преимуществ, в частности, способствует удалению из системы моноокиси кремния, тем самым предотвращает ее осаждение на стенках камеры. При выращивании в газовой атмосфере чаще всего используют инертные газы: аргон и гелий.
Инертные газы могут находиться при атмосферном или пониженном давлении. В промышленных производстве для этих целей используются аргон что объясняется его низкой стоимостью.
Оптимальный расход газа составляет 1500л на 1кг выращенного кремния. Аргон поступает в камеру при испарении из жидкого источника и должен соответствовать требованиям высокой чистоты в отношении содержания влаги, углеводородов, и других примесей.
Жесткость
Вода, в которой
растворены соли кальция и магния, обладает особым свойством – жесткостью.
Жесткость, обусловленная содержанием гидрокарбонатов кальция и магния,
называется карбонатной. Ее находят т ...
Переработка каучуков
Резиновые смеси на основе
фторкаучуков изготовляют и перерабатывают на обычном оборудовании. Из-за
повышенной жесткости каучуков и резиновых смесей и их сильного разогрева при
обработке загрузка об ...