Предмет поиска

Страна выдачи, номер патента, дата регистрации

Сущность технического решения

Полимерный композиционный материал

РФ

№ 2111568, 21.05.1996 г.

Изобретение относится к электроизоляционным материалам, используемым в кабельной промышленности. Полимерный композиционный материал содержит термопластичный сополимер, сажистый углерод в качестве токопроводящего наполнителя и неорганический наполнитель с диэлектрической проницаемостью e= 150-15000 при суммарном содержании указанных наполнителей 30-40 мас.ч. на 100 мас.ч. полимера, а содержание каждого из наполнителей не менее 10 мас.ч. на 100 мас. ч. полимера.

В качестве неорганического наполнителя используют спек титаната бария с удельной поверхностью не менее 2300 см2/г. Полимерный композиционный материал может быть дополнительно сшит ионизирующим излучением, причем масса гель-фракции составляет 30-70% по отношению к массе полимера. Полимерный материал может быть дополнительно ориентирован при температуре, превышающей температуру плавления несшитого материала, но ниже температуры деструкции сшитого полимера.

Устройство для получения электрической энергии

РФ

№ 2390907, 4.07.2008 г.

Устройство может найти применение в электротехнике в качестве автономного источника электро-питания. Устройство содержит корпус с пакетом пластин обоих знаков, разделенных слоем сегнетоэлектрика и оборудованных зарядовой пластиной, отделенных от остальных слоем сегнетоэлектрика и выполненной из биполярного электрета, например, политетра-фторэтилена, полиэтилентерефталата, поликарбоната, титаната кальция, стекла, ситаллов и др.: в качестве сегнетоэлектрика использован стабилизированный монокристал-лический сегнетоэлектрик, например,

титанат бария, поливинилиденфторид, триглицинсульфат, сегнетова соль, дигидрофосфат калия, ниобат лития, фторберилат аммония и др.: в пакете пластин по меньшей мере одна элементарная ячейка, состоящая из одного электрета и двух металлических пластин, все слои максимально плотно прилегают к друг

другу и размещены в последовательности: металлическая пластина – сегнетоэлектрик – электрет – сегнетоэлектрик – металлическая пластина; при наличии в пакете более одной элементарной ячейке каждая следующая ячейка прилегает к предыдущей одноименными зарядами металлических пластин. Изобретение обеспечивает утилизацию внутренней энергии используемого вещества.

Композиционный керамический материал на основе смешанного титаната бария и стронция и метод его получения

Китай

№ CN101844919 (А)

29.09.2010 г.

В изобретении предлагается композиционный керамический материал на основе титаната бария и стронция состава Ba0.6Sr0.4TiO3, характеризующийся хорошей регулируемостью характеристик и получаемый из аналитически чистых BaCO3, SrCO3 и TiO2 в качестве материала матрицы и совместно введенных в нее в качестве добавок аналитически чистых ZnO (0,5-5 масс.%), Al2O3 (10-30 масс.%) и MgO (10 масс. %) с получением порошкового композиционного оксидного материала состава

Ba0.6Sr0.4TiO3 посредством размалывания на шаровой мельнице, высушивания и предварительного спекания с последующим добавлением 5-10 масс. % PVA для обеспечения возможности формовки прессованием и получением керамического материала со степенью регулируемости характеристик от 18 до 42 % после прокаливания. Предлагаемый материал отличается стабильной и надежной технологией получения, характеризуется пониженными и регулируемыми значениями диэлектрической проницаемостью и диэлектрических потерь и перспективен для применения в составе фазовых преобразователей, динамических запоминающих устройств про-извольного доступа, обеспечивая повышение эффективность работы таких устройств.

Стекло-керамический композиционный материал, получаемый совместным низко-

температурным обжигом, с регулируемой

диэлектрической

проницаемостью и метод его получения

Китай

№ CN101857375 (A)

13.10.2010 г.

Композиционный материал получают из следующих исходных компонентов: 0,5-20 % BaxSr1-xTiO3 (х=0,3-1) и 80-99,5% фторированного алюмо-силикатного стекла, которое получают из следующих исходных компонентов в указанном массовом соотношении: 30-70 % SiO2, 20-50 % AlF3 и 5-30 % CaF2. После смешивания компонентов в указанном соотношении к ним добавляют этанол или воду, полученную смесь размалывают на шаровой мельнице, сушат и подвергают низкотемпературному обжигу Преимуществами предлагаемого материала являются: 1) низкие значения температуры спекания (750 - 850 °С) и степени усадки при спекании (8-15 %) и 2) возможность регулирования диэлектрической проницаемости (при частоте 1ГГц) в интервале от 8 до 50 в сочетании с очень низкими диэлектрическими потерями (менее 0,002) и повышенной механической прочностью.