По результатам проведённых исследований можно сделать следующие выводы:
1). Предложена методика контроля морфологии пленки Ge при эпитаксии на поверхности Si(100) с помощью регистрации и анализа изменения профилей интенсивности на дифракционной картине быстрых электронов.
2). Измерены изменения профилей интенсивности вдоль вертикального и горизонтального направления дифракционной картины при эпитаксии Ge на Si(100) в температурном диапазоне 250-7000С, при постоянной скорости роста – 0.05Å/сек.
3). Из анализа изменения горизонтального профиля интенсивности определено поведение параметра решетки пленки в плоскости роста в зависимости от эффективной толщины напыляемого слоя германия.
4). Предложена модель, объясняющая подобное поведение параметра решетки пленки в плоскости роста. Увеличение параметра решетки на стадии двумерного роста и формирования "hut"-кластеров обусловлено упругой деформацией, а для "dome"-кластеров – пластической релаксацией из-за формирования сетки дислокаций несоответствия в границе раздела.
5). По характерным изменениям в профилях интенсивности, построена кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100) в зависимости от температуры роста и толщины осажденного германия.
Амины
По
систематической номенклатуре амины называют путем добавления приставки амин к
названию углеводорода. По рациоальной номенклатуре их рассматривают как алкил
или ариламины.
Гетероциклич ...
Исследование электрохимического поведения ионов самария в хлоридных и хлоридно-фторидных расплавах
...
Фотометрическое определение благородных металлов
Фотометрические
методы определения элементов основаны на простой зависимости между
интенсивностью окраски раствора и концентрацией вещества в растворе. Для
фотометрического определения испо ...