Таким образом из анализа изменения горизонтального и вертикального профиля интенсивности дифракционной картины можно выделить три характерные толщины растущей пленки: (1) – переход от двумерного роста к трехмерному и начало образования на поверхности "hut" островков, (2) – переход "hut"островков в "dome" и (3) – полная релаксация "dome" островков. На рис.14 представлена кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100) в процессе роста, в зависимости от эффективной толщины осажденного германия и температуры роста.
Рисунок 14. Кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100). Скорость осаждения Ge – 0.05МС/сек.
Точность положения точек по относительной температуре в пределах 1-2%, по абсолютной температуре (сдвиг по температуре всей диаграмм) около 200. Точность по определению характерных толщин, составляет около 10% и определяется в основном неточностью определения скорости потока германия на поверхность и стабильностью работы источника.
Концентрирование карбамида
Карбамид (мочевина) СО(NH2)2 представляет
собой амид карбаминовой кислоты.
Карбамид выпускается в виде гранул или
кристаллов. В данном производстве карбамид выпускается в виде ...
Получение гидроксида натрия каустификацией содового раствора
Гидроксид натрия (каустическая сода) используется
во многих отраслях промышленности: химической, металлургической, нефтеперерабатывающей,
мыловаренной, фармацевтической, целлюлозно-бумажной, ...
Определение лигнина
Содержание лигнина в древесине и другом
растительном сырье преимущественно определяют прямыми способами. Они основаны
на количественном выделении лигнина удалением экстрактивных веществ
соо ...