Таким образом из анализа изменения горизонтального и вертикального профиля интенсивности дифракционной картины можно выделить три характерные толщины растущей пленки: (1) – переход от двумерного роста к трехмерному и начало образования на поверхности "hut" островков, (2) – переход "hut"островков в "dome" и (3) – полная релаксация "dome" островков. На рис.14 представлена кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100) в процессе роста, в зависимости от эффективной толщины осажденного германия и температуры роста.
Рисунок 14. Кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100). Скорость осаждения Ge – 0.05МС/сек.
Точность положения точек по относительной температуре в пределах 1-2%, по абсолютной температуре (сдвиг по температуре всей диаграмм) около 200. Точность по определению характерных толщин, составляет около 10% и определяется в основном неточностью определения скорости потока германия на поверхность и стабильностью работы источника.
Производство этилового спирта
Этиловый спирт находит широкое применение в народном хозяйстве в
качестве растворителя, также применяется в производстве дивинила, в пищевой и
медицинской промышленности, в качестве горючего ...
Осмий - благородный металл
ОСМИЙ
(лат. Osmium), Os, химический элемент VIII группы периодической системы,
атомный номер 76, атомная масса 190,2, относится к платиновым металлам.
...
Задание
При исследовании
кинетики реакции: PhNH2 (A1) + PhC ≡ CH (A2)→ PhNC(Ph)=CH2 (A3)
в растворе хлорбензола реализован следующий
эксперимент (400С):
В опытах получены
следующие завис ...