Таким образом из анализа изменения горизонтального и вертикального профиля интенсивности дифракционной картины можно выделить три характерные толщины растущей пленки: (1) – переход от двумерного роста к трехмерному и начало образования на поверхности "hut" островков, (2) – переход "hut"островков в "dome" и (3) – полная релаксация "dome" островков. На рис.14 представлена кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100) в процессе роста, в зависимости от эффективной толщины осажденного германия и температуры роста.
Рисунок 14. Кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100). Скорость осаждения Ge – 0.05МС/сек.
Точность положения точек по относительной температуре в пределах 1-2%, по абсолютной температуре (сдвиг по температуре всей диаграмм) около 200. Точность по определению характерных толщин, составляет около 10% и определяется в основном неточностью определения скорости потока германия на поверхность и стабильностью работы источника.
Химические элементы в организме человека
Многие учёные считают, что в живом организме не только
присутствуют все химические элементы, но каждый из них выполняет определённую
биологическую функцию. Достоверно установлена роль около ...
Методы синтеза технологических схем разделения
Для проведения синтеза оптимальных технологических схем необходимо
знать:
1.
Физико - химические и химиче ...
Тиофан
Тиолан может быть окислен в
сульфоноксид (сульфан) или в тиоландиоксид (сульфолан)
Упр.12. Промышленный синтез тиофена
осуществляется пропусканием ...