Таким образом из анализа изменения горизонтального и вертикального профиля интенсивности дифракционной картины можно выделить три характерные толщины растущей пленки: (1) – переход от двумерного роста к трехмерному и начало образования на поверхности "hut" островков, (2) – переход "hut"островков в "dome" и (3) – полная релаксация "dome" островков. На рис.14 представлена кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100) в процессе роста, в зависимости от эффективной толщины осажденного германия и температуры роста.
Рисунок 14. Кинетическая диаграмма морфологии поверхности пленки Ge на Si(100). Скорость осаждения Ge – 0.05МС/сек.
Точность положения точек по относительной температуре в пределах 1-2%, по абсолютной температуре (сдвиг по температуре всей диаграмм) около 200. Точность по определению характерных толщин, составляет около 10% и определяется в основном неточностью определения скорости потока германия на поверхность и стабильностью работы источника.
Каталитический риформинг
Бензины являются
одним из основных видов горючего для двигателей современной техники.
Автомобильные и мотоциклетные, лодочные и авиационные поршневые двигатели потребляют
бензины. В настоящ ...
Создание новых лекарственных веществ
Несмотря на достижения
современной анестезии, продолжаются поиски менее опасных средств для наркоза,
разработка различных вариантов многокомпонентного избирательного наркоза,
позволяющего з ...
Флотационный метод получения хлористого калия из сильвинита
Разработка и применение различных
методов обогащения калийных и полиметаллических руд неразрывно связаны с
минеральным составом исходной руды.
Выделить ценные компоненты из руд в богатый
...